氮化镓
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氮化镓是一种宽禁带Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体. 由于它有大的直接带隙,可在宽的光谱区域里有效...其晶格结构为六角的纤维锌矿型，空间群为Pb3mc，晶格常数a=3.18&#197；，C=5.185&#197；.GaN的禁带宽度约为3.5eV（3 ...

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篮宝石衬底上氮化镓薄膜的声表面波特性研究
研究了蓝宝石上非掺杂GaN，p型GaN和p-GaN／n-GaN 3种薄膜材料的声表面波特性。在p型GaN薄膜中观测到中心频率分别为255 MHz和460 MHz的Rayleigh模和Sezawa模，插...

《压电与声光》 2014年3期关键词: "氮化镓薄膜","声表面波","集成" 收藏