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搜索到与“ 4H-SiC”相关的文献共 2条
<p>通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性。</p>
《大连交通大学学报》 2015年4期 关键词: "稀磁半导体","电子结构","磁性","第一性原理4H-SiC" 收藏
SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下...
《机车电传动》 2020年01期 关键词: "4H-SiC MOSFET"," 碳化硅"," 静态特性"," 温度特性"," 器件仿真" 收藏
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