材料去除
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集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究
针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料（包括Cu、Ru、TEOS）在化学机械抛光（CMP）中选择性差的问题,在SiO2–H2O2体系抛光液中研究了（NH4）2SO4和2,2′-{[（甲基-1H-苯并三唑-...

《电镀与涂饰》 2020年01期关键词: "铜"," 钌"," 二氧化硅"," 化学机械抛光"," 硫酸铵"," 2","2′-{(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基亚氨基}双乙醇" 收藏