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王阳元,中国科学院院士,微电子学家,我国硅栅N沟道技术开拓者之一。在多晶硅薄膜...开展了如何抑制浮体效应的设计技术和工艺技术的研究,提出了基于物理机理分析的新的SOI/CMOS器件的物理模型,扩充了SPICE模型,研究成功了新型SOI/ ...
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