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导带的能量下边界和价带的能量上边界之间的间隙。根据能带理论,固体中运动电子的能量谱...禁带所覆盖的能量区间即为禁带宽度，用Eg表示。在室温下，半导体材料锗、硅、砷化镓的禁带宽度依次为0.67eV、1.12eV和1.428eV。禁带宽度E ...
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