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W3.4W/mm GaN功率放大器MMIC 戈勤1 徐波1 陶洪琪1 王维波1 马晓华2 郭方金1 刘宇3

采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网络,...

《西安电子科技大学学报》 2020年第01期 收藏

3625 452 3

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