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    浅析GaN基新型结构HEMT器件 姜文海

    近些年来，随着时代经济的飞速发展以及科技的进步，GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度，同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言，是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新型结构HEMT器件时，首先对GaN基新型...

    《科技创业月刊》 2015年第15期 收藏

    1562 11 1

    GaN功率器件栅驱动电路技术综述 冯旭东 胡黎 张宣 明鑫 周琦 张波

    第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转...

    《微电子学》 2020年第02期 收藏

    1115 172 2

    010-56259535

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