基于UIS测试的SiC MOSFET单脉冲雪崩特性分析徐晓筱吴建德何湘宁李武华

碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的特性受到广泛关注,介绍了非箝位感性开关(UIS)测试原理,搭建雪崩耐量测试平台,分析SiC MOSFET的单脉冲雪崩特性。探究UIS单脉冲测试对器件雪崩特性的影响,测试S...

《电力电子技术》 2020年第04期 收藏

基于UIS测试的SiC MOSFET单脉冲雪崩特性分析 徐晓筱 吴建德 何湘宁 李武华