高密度RF等离子体刻蚀工艺直流自我偏压的研究李悦

直流自我偏压作为高密度射频(RF)等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数，反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果，后者决定了刻蚀工艺的各向异性、刻蚀速率、选择比及形貌特征等工艺结果。该文以HBr作为刻蚀气体，采用电感耦合等离子体(ICP)金...

《压电与声光》 2014年第5期 收藏

高密度RF等离子体刻蚀工艺直流自我偏压的研究 李 悦