共找到 相关的 本期刊

推荐期刊
免费发表
纸媒订阅
核心
期刊级别
全部
核心(南大)
国家级
省级
核心(北大)
核心(北大,南大)
未分级
出版周期
全部
年刊
半年刊
季刊
双月刊
月刊
半月刊
旬刊
周刊
其他

共找到 相关的 37篇文献

前沿创新
人气文献
免费阅读
核心

氧化铝瓷的钨金属化 王志刚, 乔冠军, 高积强, 王红洁, 金志浩

阐述了在真空炉中高温烧结W涂层的基本实验方法和工艺,采用的金相照片,扫描电镜和能谱分析等方法对镀层进行了微观的成分分析。结果显示金属化温度影响W粉的烧结,配方中的氧化钇在连接W和陶瓷基体中起到关键作用。

《真空电子技术》 2005年第04期 收藏

739 1047 5

La203、Cr2 03共掺杂的CCTO瓷介电性能 蒲永平,董子靖

采用氧化物混合工艺制备了La2 0:a和Cr2 0:a共掺杂的CaCu:a Ti4 012( CCTO)陶瓷材料。通过XRD、介电温度特性等测试手段,研究了掺杂不同浓度的La2 0:a和Cr2 0:a对CCTO体系陶瓷介电性能的影响,并对掺...

《陕西科技大学学报(自然科学版)》 2013年第2期 收藏

1012 430 3

无铅压电瓷制备及压电性能 郝航飞,谈国强

以水热法制备的KNbO:a,NaNbO:a,BiFeO:a( BF)粉体等为原料,采用常压烧结法在1065℃下烧结2h制备了0.992Ko.5 Nao.5 NbO:a -0.  008BiFe O:a无铅压电陶瓷,并研究了BiFe...

《陕西科技大学学报(自然科学版)》 2013年第6期 收藏

1412 59 1

复合瓷材料介电性能的 王卓,张亮亮

在氮气气氛中采用传统固相法制备了(1 - x) Ba( Feo.s Nbo.s) O:a/xNi( x=0.1,0.2,0.3;BFNlNi)复相陶瓷,并研究了Ni含量对复相陶瓷晶体结构、显微组织、渗流阈值及介电性能的影响.研究结果表明:在...

《陕西科技大学学报(自然科学版)》 2013年第6期 收藏

2465 11 1

免烧型磷酸盐瓷砖的 李小燕, 周耀, 刘春江

本文采用Ca-Al-Mg-P-Si体系,制备免烧型磷酸盐陶瓷砖。实践证明,所制备陶瓷砖的致密度大于1.8 g/cm3、翘曲度小于20‰、弯曲强度大于20 MPa。配方组成中磷酸-磷酸盐溶液为30%~50%、硅灰石为40%~60%、MgO为2...

《佛山陶瓷》 2013年第10期 收藏

1764 1541 5

掺杂Li2O-K2O-AI2O3石英瓷的性能 陈小浪,张龙龙,戴雨涵,陈宏伟,杨传仁,张继华

采用固相烧结法烧结掺杂Li2O-K2O-Al2O3石英陶瓷,用XRD、SEM、微波网络分析仪等手段分析不同烧结温度下样品的表面特性、介电性能及力学性能。

《压电与声光》 2014年第3期 收藏

2900 11 1

低温烧结Ba3(V04)2-xZriM004微波介质 高 彬,杨青慧,张怀武

采用固相反应法制备了Ba3 (VO)。-xZnM004陶瓷,研究不同ZnM004含量对Ba3( VO)。微观结构及介电性能的影响。X线衍射(XRD)测试结果表明,二者兼容性良好,无第二相产生;具有低熔点及相反(负)频率温度系数的ZnM004...

《压电与声光》 2014年第3期 收藏

408 11 1

偶联剂处理PZT压电瓷效果 刘爱云,张建芹,陶 炜,王清海

研究了硅烷偶联剂和钛酸酯偶联剂对PZT压电陶瓷的表面处理,通过红外光谱和扫描电镜照片对比了不同偶联剂的处理效果,同时与未经偶联剂处理的陶瓷进行对比。进一步研究了偶联剂处理前、后陶瓷与高分子树脂之间的结合力,经硅烷偶联剂KH-550处理后,陶...

《压电与声光》 2014年第2期 收藏

2513 680 3

2-2型多基元压电复合瓷圆管 鲜晓军1,2,林书玉1,杨 智2,刘光聪2

该文分析并制作了2-2型压电复合陶瓷圆管,陶瓷圆管由180条等分陶瓷基元组成,基元间通过复合材料进行连接。陶瓷圆管采用轴向精密切割工艺,该圆管具有几何尺寸大,基元多,轴向与径向振动相互干扰小,切割工艺精密等特点。研究表明,2-2型压电复合陶...

《压电与声光》 2014年第6期 收藏

589 11 1

一种误差放大式压电瓷驱动电源的 钟文斌,刘晓军,卢文龙,陈良洲,虢 磊

介绍了压电陶瓷驱动电源的特点,研制了一种改进的误差放大式压电陶瓷驱动电源。该驱动电源采用串联型稳压电路生成直流高压,误差反馈控制电压取自受控压电陶瓷上的电压。通过增加反馈电容与隔离电阻来补偿负载电容带来的系统外部极点。

《压电与声光》 2014年第2期 收藏

1693 129 2

Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved

京ICP备2021021570号-13

京公网安备 11011102000866号