3300 V全SiC MOSFET功率器件开关特性研究孙康康陈燕平忻兰苑王晓年余开庆胡长风

为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的...

《机车电传动》 2020年第01期 收藏

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