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本文阐述了在利用脉冲激光沉积法生长亚铜基硫族化合物薄膜过程中,所使用的氩气背景气体压力与薄膜化学组分的关系.当氩气压力在~10-2 mbar时,薄膜材料中原子量较轻的成分缺失更为严重.与之相比,当利用准真空或~10-1 mbar时薄膜材料化...
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