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氩气生长压力对脉冲激光沉积硫族化物薄膜分的调控(英文) 陈吉堃, 吕艳红, Max D?beli, 李宇龙, 史迅, 陈立东

本文阐述了在利用脉冲激光沉积法生长亚铜基硫族化合物薄膜过程中,所使用的氩气背景气体压力与薄膜化学组分的关系.当氩气压力在~10-2 mbar时,薄膜材料中原子量较轻的成分缺失更为严重.与之相比,当利用准真空或~10-1 mbar时薄膜材料化...

《Science China.Materials》 2015年第04期 收藏

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