横向双扩散金属氧化物场效应晶体管

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以双扩散MOS晶体管为基础的集成电路,称为双扩散金属-氧化物-半导体集成电路,简称DMOS。...源扩散是自对准的,而栅金属层则与漏扩散区隔开,以减少输入和反馈电容,并缓和短沟道效应。VDMOS在n+硅衬底上生长一层n-外延层,电子流经沟 ...

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